韓国は26年もHBMに注目、次世代接合・ガラスコア基板・EUVに動き

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 2026年1月に公開される記事ということで、2026年に韓国の半導体業界で注目される半導体製造技術について展望したい。2025年末に韓国で報道された内容や、筆者が取材した内容を総合すると、ハイブリッドボンディング(ハイブリッド接合)、ガラスコア基板、EUV(極端紫外線)露光向けフォトレジスト(感光材)材料が大きな話題となりそうだ。

 複数のDRAMチップを垂直に積み上げるのがHBM(広帯域メモリー)であるが、第6世代HBM4、それに続く第7世代のHBM4Eへと進化するにつれ、DRAMを積み上げる方式を変える必要が出てきた。従来はDRAMにマイクロバンプを設けて接合していたが、配線を直接接合することで同じ高さでも3D積層数を増やせるハイブリッドボンディングという高密度の半導体パッケージングが重要になってきた。ハイブリッドボンディングにより、HBMの積層数を増やすことで弊害となっていた電気信号速度低下の問題を解決でき、発熱問題も改善し、電力消費量も少なくなる。

 サムスン電子はHBM4から、SKハイニックスはHBM4Eからハイブリッドボンディングを導入しようとしている。HBM4は12段だが、米NVIDIA(エヌビディア)が要求するスペックを満たすには16段以上のHBM4Eが必要でありハイブリッドボンディングは必要不可欠といわれている。NVIDIAの要求を満たすためにはサムスン電子とSKハイニックスはハイブリッドボンディングを導入するしかない。

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ハイブリッドボンダーの国産化目指す

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趙 章恩=(ITジャーナリスト)

(NIKKEI TECH)

2026. 1. 
-Original column

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